Наука и технологии

Сверхтонкое покрытие спасёт наноэлектронику от перегрева

Использование в современных кремниевых устройствах 2D-материалов, таких как графен, позволяет, иногда на несколько порядков, уменьшить их размеры. Полностью реализовать потенциал миниатюризации и другие уникальные функции 2D-материалов мешает плохое рассеяние тепла, вызванное их слабым взаимодействием с кремниевой основой транзисторов и прочих электронных устройств. Тепло, накапливаясь в 2D-материале, создает горячие точки, вызывающие перегрев и отказ устройства.

Существенно уменьшить риск такого перегрева можно нанесением на 2D-материал сверхтонкого слоя оксида алюминия. К этому выводу пришли исследователи из Инженерного колледжа Университета Иллинойса в Чикаго (UIC).

Свои выводы они изложили в статье для журнала Advanced Materials, в которой описывается использовавшаяся в эксперименте конструкция транзистора с кремниевой основой, карбидным 2D-слоем и изолирующим покрытием из оксида алюминия. При комнатной температуре авторы зарегистрировали увеличение теплообмена между карбидом и кремниевой базой в два раза по сравнению с контрольным образцом транзистора, не имеющим оксидного слоя.

Воодушевленные успехом этого концептуального эксперимента учёные рассчитывают добиться дальнейшего роста теплопроводности, варьируя состав изолирующего покрытия.

источник

МИР ВОКРУГ на GOOGLE PLAY

Реклама

Добавить комментарий

Заполните поля или щелкните по значку, чтобы оставить свой комментарий:

Логотип WordPress.com

Для комментария используется ваша учётная запись WordPress.com. Выход /  Изменить )

Google+ photo

Для комментария используется ваша учётная запись Google+. Выход /  Изменить )

Фотография Twitter

Для комментария используется ваша учётная запись Twitter. Выход /  Изменить )

Фотография Facebook

Для комментария используется ваша учётная запись Facebook. Выход /  Изменить )

Connecting to %s